美国没想到,中国三大芯片产品,都攻破了美日荷防线(图)

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目前全球种类最多,价值最高的两大种芯片,分别是逻辑芯片,和存储芯片,其中存储芯片主要是NAND存储芯片,DRAM芯片。这两大种类的芯片,三大芯片产品,占到全球所有芯片价值的85%以上。

逻辑芯片方面,当然是美国称雄,而存储芯片,则是韩国最强,因为韩国是美国的小弟,所以四舍五入,韩国称雄,也相当于美国称雄。



再考虑到美国一直以来,占了全球50%左右的芯片市场份额,所以绝不允许任何国家和地区,能在芯片产业上挑战美国。

因为靠着芯片,美国不仅可以收割全球的经济利益,还可以基于芯片,对全球进行制裁,获得一些政治利益。

所以,当美国看到中国芯片产业崛起后,坐不住了, 联合日本、荷兰,构建了一条严密的防线,借此来打压中国芯片产业。



在美国的计划里,要锁死中国的逻辑芯片制造工艺在14nm,不能再前进。锁死NAND闪存芯片技术在128层,不能再前进,锁死DRAM内存芯片在18nm,不能再前进。

可以用于生产防线下的芯片的设备,全部不能卖给中国芯片厂商。在美国看来,一旦达到这三个目标,那么中国生产的这两大类芯片,均是属于成熟芯片,那么先进芯片就还是美国说了算。



不过,美国万万没想到的是,在美国、日本、荷兰三个国家的防线之下,中国也会有突破,在三大领域,均攻破了防线。

逻辑芯片方面,美国没能锁死在14nm工艺,我们已经往14nm之下,再前进了好几步,我们已经实现了更先进的芯片工艺,具体是多少,不便多言,大家知道麒麟9000S麒麟9010芯片就行了,它肯定不是14nm的,比这个先进多了。

再看NAND闪存方面,前段时间,有媒体报道称,长存之有基于国外设备,早就生产出了232层的3D NAND闪存。



后来被打压,长存进行国产设备替代,基于国产设备,都生产出了160L的3D NAND闪存,其存储密度,不输三星、SK海力士等大厂,明显也是突破了防线。

再看DRAM方面,长鑫也有了突破,产品线涵盖LPDDR5、DDR4等先进产品,其自主研发的DRAM芯片产品,成功打破了国际巨头的垄断,实现了从0到1的突破。

按照机构的预测,长鑫DRAM产能今年年底将增至20万片,明年将增至30万片,这意味着长鑫存储占全球产量的15%,几乎赶上了第三名的美光(约20%)。

可见,在美国、日本、荷兰的围堵之下, 中国芯在美国最严密的防线下,我们都实现了三大产品线的突破,这估计也是美国万万没有想到的,不知道接下来,美国又会出什么阴招?

 

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