台积电在美国的建厂之路“被套得越来越深”，美积电逐步成型。

3月4日，台积电官宣加码在美国的投资——从650亿美元，增至1650亿美元，用于亚利桑那工厂的扩产，包括新建三座制造工厂、两座先进封装厂和一个大型研发团队中心。

需要注意的是，台积电宣布加大在美国投资，英特尔却宣布推迟俄亥俄州一期晶圆厂的建设。此前，2022年，英特尔曾承诺在该工厂投资1000亿美元。

台积电此次增资美国，是在特朗普就任美国第47任总统，并且在多个场合表态对“台积电”施加关税的背景下进行的。在此之前，台积电一度因特朗普胜选取消亚利桑那工厂的完工典礼。

作为示好特朗普政府动作之一，今年2月中旬，台积电更是首度将公司董事会搬到美国亚利桑那举办。

台积电赴美建厂，始于2020年5月，最初计划投资120亿美元，兴建5纳米晶圆厂。

2022年8月，拜登政府推动《芯片法案》落地，计划对在美国兴建产能的晶圆厂提供直接补贴，总金额达到390亿美元，台积电从中分得66亿美元直接补贴，还获得50亿美元的特殊低息贷款。2024年11月，经过一系列谈判及审批流程，美国商务部最终与台积电敲定补贴协议。

彼时，台积电承诺美国工厂总投资650亿美元，分三阶段完成，分别为Fab21 P1/P2/P3（即Fab21的一期、二期和三期），项目2022年开工，2030年左右全部建成，规划总产能是90K。

亚利桑那的Fab21 P1工厂，2024年年底已进入风险试产阶段，2025年一季度末正式量产，到第二季度可以实现满载30K产能，目前的客户有苹果、英伟达、高通、AMD等。

Fab21 P2工厂还处于土建阶段，2024年建设进度不及预期，按原计划，P2工厂将于2025年封顶，随后进入洁净室、厂务设施的安装阶段，到2026年年底开始移机试产，2027年第三季度开始量产3nm芯片。

台积电在美建厂，符合美国推动先进芯片制造能力回流的趋势，但存有几个关键问题：

1）亚利桑那工厂规划的90K产能，远远不及其他地区，可以看作是“备份产能”；

2）尽管美国工厂具备先进芯片的制造能力，覆盖到2nm、3nm、5nm等节点，但仍然落后于台积电总部1-2个节点的代差，不属于绝对意义上的最先进。

3）虽然在美建厂可以接近客户，但亚利桑那工厂并不具备先进封装的能力，最先进的CoWoS产能仍然留在台积电总部，AI时代最顶尖的GPU芯片仍然无法在美国完成封装。

4）台积电在美国没有研发能力，核心的研发工程师仍然留在总部，意味着美国无法从台积电获得单独推进工艺节点的能力。

整体来看，此前台积电在美国兴建工厂，偏向于“技术隔离”的策略，现任董事长魏哲家曾多次在公开场合表态，“掏空台积电，门都没有”。

针对上述“技术隔离”策略，波士顿咨询集团2023年在《限制中国半导体将破坏美国芯片法案效力》研究报告中指出，若美国本土无法形成从设计到制造的完整技术闭环，补贴资金可能流向海外企业技术授权环节。

也因为如此，此次台积电新增1000亿美元加码美国工厂投资，基本与上述四个问题紧密相关，新建三座制造工厂将为美国带来更多的先进工艺产能，两座封装厂则可以实现制造、封装在美国闭环的能力，而大型研发中心建设则可以为美国培育先进工艺节点推进的能力。